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据引见，三星电子的HBM4E采用了基于前代 HBM4 中已考证的最先进工艺的 1c（10nm 级第六代）DRAM 和其自有代工厂的 4nm 逻辑芯片。经评价，它经过最大限度地进步超精密工艺的稳定性，同时确保良率和大范围消费才能，树立了竞争对手难以企及的压倒性准入壁垒。
在存储性能方面，该HBM4E经过设计和工艺优化，完成了不相上下的规格。它支持每引脚14Gbps至最高16Gbps的运转速度，与上一代HBM4相比，速度提升超越20%。此外，它以单个堆栈为单位提供每秒 3.6 TB（太字节）的带宽，最大限度地进步了大范围言语模型 (LLM) 和下一代 AI 系统的计算速度。
在容量方面，HBM4E 12层产品完成了48GB（千兆字节）的高容量，比上一代产品提升了30%以上。三星电子正在方案无缝扩展产品线，推出32GB（8层）和64GB（16层）产品，以满足客户多样化的业务环境需求。
此外，经过集成低功耗设计和封装构造优化技术，与之前的型号相比，HBM4E的能源效率显著进步了 16%，热阻进步了 14% 以上。过彻底处理高负载人工智能计算环境中的关键发热问题，它保证了产品的长期牢靠性，并有效地为降低全球数据中心的能耗提供了打破性的处理计划。
三星电子方案以此次HBM4E样品供给为起点，依照客户的进度布置停止批量消费。三星电子方案凭仗全球独一的“一站式交钥匙处理计划”（涵盖存储器、晶圆代工、系统LSI和先进封装），确保无缺陷的稳定供给。
三星电子存储器事业部开发副总裁黄相俊强调：“经过胜利完成HBM4的量产和下一代HBM4E样品的无缝供给，我们已在市场上牢牢确立了三星电子无可匹敌的技术抢先位置。”他补充道：“瞻望将来，我们将凭仗压倒性的技术优势和对消费根底设备的先下手为强投资，鼎力引领全球人工智能存储器市场的增长。”
与此同时，三星电子也在扩展 HBM4 的量产供给，HBM4 是世界上第一款量产并于今年 2月出货的芯片。三星电子表示，全球客户对三星HBM4的速度和能效给予了积极评价。去年12月，三星电子的HBM4在系统级封装（SiP）测试（最终认证阶段）中展示了业界抢先的11.7Gbps速度，取得了最高评级。
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